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QLED旋涂溶液

QD solutions for QLED、Zn(Mg)O solutions for QLED


量子点电致发光二极管(QLED),因量子点材料的光色纯、波长可调等优点,成为一种新型显示技术材料,旋涂制备QLED不仅可以评估量子点材料性能,也是大面积制备照明器件的基础工艺。

星烁凭借着数十年在纳米材料领域的深耕,扎实的量子点材料合成技术,在QLED领域取得了瞩目的成就,为客户提高高质量产品和相关的配套服务,及工艺应用过程整体解决方案。

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Zn(Mg)O纳米粒子


Zn(Mg)O因禁带宽度较大(3.7 eV)、对可见光的吸收较弱(透过率超过98%)且束缚能较高等特点,常被用作各种发光器件的电子运输材料。通过掺杂Mg来调节禁带宽度,改变电子注入势垒,促进电子和空穴的注入平衡,提高发光效率。

星烁专利ZnMgO,可以提高电子注入的势垒和平衡载流子的注入,搭配星烁量子点,通过旋涂纳米颗粒ZnMgO溶液制备的红、绿、蓝QLED,外量子效率分别超过18%,15%,8%。

外量子效率(EQE)为ZnMgO搭配对应QD制作成器件(QLED)后测试出的数据。

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Zn(Mg)O

SolventParticle SizeConcentrationNPs Amount Cat NO.
Ethanol ≈5nm 25 mg /mL 50 mg Zn(Mg)O-50
Ethanol ≈5nm 25 mg/mL 100 mg Zn(Mg)O-100
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Cd-based QDs

ColorPL EmissionFWHMQYEQEAmount Cat NO.
Blue 465±5nm <25nm >65% >8% 25/50/100mg Cd-based B QLED-465
Green 525±5nm <25nm >80% >15% 25/50/100mg Cd-based G QLED-525
Red 625±5nm <28nm >85% >18% 25/50/100mg Cd-based R QLED-625
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InP-based QDs

ColorPL EmissionFWHMQYEQEAmount Cat NO.
Green 525±5nm <45nm >60% >10% 25/50/100mg InP-based G QLED-525
Red 625±5nm <45nm >60% >10% 25/50/100mg InP-based R QLED-625
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ZnSe-based QDs

ColorPL EmissionFWHMQYEQEAmount Cat NO.
Blue 450±20 nm <25nm >50% >8% 25/50/100mg ZnSe-based B QLED-450
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